MISFET: PORQUE O V2O5 É O NOVO SILÍCIO

Nas últimas décadas o silício, componente essencial de chips eletrônicos, tem ficado cada vez mais escasso. O crescente uso de eletroeletrônicos se intensificou durante a pandemia, disparando preços de mercado, originando o que se conhece como crise do silício. Para contornar essa crise, a proposta do projeto parte do princípio de tentar encontrar outro material que possa substituir o silício na indústria de transistores, e, ao mesmo tempo, ajudar o meio ambiente. Desta forma o projeto tem como objetivo avaliar a viabilidade do resíduo industrial do catalisador pentóxido de vanádio (V205) como uma alternativa aos transistores de silício na indústria eletrônica, já que este material pode realizar transições de fase metal-isolante, o que possibilita o controle da corrente elétrica em um transistor. Para tal, uma amostra de resíduo industrial de V205 foi obtida e caracterizada por meio da composição química a partir da técnica de fluorescência de Raios X (FRX), onde determinou-se como componentes majoritários o Si02, S03 e V205 respectivamente. Em seguida, foram preparadas 3 amostras, sendo elas: Amostra 1 (Controle): 10 g de cobre em pó; Amostra 2: 9 de cobre e 1 g de resíduo; Amostra 3: 7 g de cobre e 3 g de resíduo. As amostras foram queimadas a 1200 0 C. Posteriormente, foram realizados testes de resistividade elétrica. A queima resultou na oxidação dos compostos no material, um fator que impossibilitou a performance elétrica adequada do resíduo na liga com cobre. A resistividade elétrica apresentou valores médios de 29kQ (Amostra 1 – 100% CuO) e 59kQ (Amostra 2 – 90% CuO). Concluiu-se que a utilização do resíduo bruto de \/205 não é adequada para o processo de confecção de transistores convencionais por este incluir oscilações de temperatura. Sendo assim, as próximas etapas consistem na confecção de um sistema fortemente correlacionado de filmes finos de V205 separado do resíduo bruto, avaliando a aplicabilidade isolada do material.